据台湾行业媒体 DigiTimes 报道，台积电的尖端 2 纳米 EUV 代工节点预计将于 2024 年第四季度进入风险产品阶段。2 纳米将是该代工公司的一个重要里程碑，因为这将是该公司首次采用 GAA（栅极环绕）场效应晶体管。
这是 FinFET 的后继技术，FinFET 推动了硅制造节点从 16 纳米到 3 纳米近十年的发展。GAAFET 技术对于代工厂在 2 纳米和 1 纳米之间的发展至关重要。
台积电预计将在位于台湾北部新竹科学园区宝山园区的新晶圆厂冒险生产 2 纳米节点的芯片。如果风险生产一切顺利，预计将于 2025 年第二季度实现芯片量产。
在此之前，该公司最终 FinFET 节点 N3 系列的改进仍将是硅制造的最前沿。三星也为其 2 纳米节点（被称为 SF2）的量产设定了类似的 2025 年目标。
在太平洋彼岸，英特尔代工服务公司的英特尔 20A 节点采用了 GAAFET（又称 RibbonFET）技术，其目标时间类似，包括雄心勃勃的 2024 年量产目标。
本文内容不用于商业目的，如涉及知识产权问题，请权利人联系51Testing小编(021-64471599-8017)，我们将立即处理
