报道称，此前有消息表示三星电子的 3nm 良品率超过 60%，且已经向中国客户交付了一款芯片，但由于该工艺省略了逻辑芯片中的 SRAM，因此很难将其视为“完整的 3nm 芯片”。
业界认为，尽管三星已经率先量产重点发展的 3nm 全栅极技术（GAA），但它的产量还不足以影响大客户。在这种技术中，由于栅极环绕在构成半导体的晶体管中电流通道的四边，与此前环绕三边的工艺相比，难度自然会增加。一位熟悉三星的人士透露，“要赢得高通等大客户明年的 3nm 移动芯片订单，良率至少需要提高到 70%。”
至于台积电，虽然作为目前唯一一家拥有 3nm 量产记录的公司，但其产量同样低于最初预期。有分析师表示，台积电 3nm 工艺中使用了与上一代工艺相同的 FinFET 结构，可能“未能控制”过热问题。
当前两家公司仍在努力实现 60% 以上良品率的目标。台积电计划在明年量产 N3E、N3P、N3X、N3AE 等，重点就是提高良品率降低成本。
此外，一位半导体业内人士透露称，三星、台积电和英特尔都在准备 2nm 工艺，但与 3nm 相比，性能和功耗效率的提升“并不明显”，因此预计 3nm 工艺芯片的需求持续时间将超过预期。
郭明錤称：“我的调查指出，iPhone 15 Pro 系列的过热问题，与台积电的 3nm 制程无关，主要很可能是为了让重量更轻，因此对散热系统设计作出了妥协，像是散热面积较小、采用钛合金影响散热效果等。预计苹果将会通过更新系统修复此问题，但除非降低处理器性能，否则改善效果可能会有限。如果苹果没有妥善解决这个问题，可能会不利于 iPhone 15 Pro 系列产品周期的出货量。”
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