业内人士认为，三星电子正在向模压填充（MR-MUF）生产技术过渡--其竞争对手内存制造商 SK Hynix 是这种芯片制造技术的倡导者。路透社的独家报道援引了五位业内人士的说法--他们认为三星正在对令人失望的 HBM 产量做出反应。
该出版物提出"三星落后于（竞争生产商）的原因之一是，它决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电膜（NCF）芯片制造技术，而海力士则转而采用大规模回流模压填充（MR-MUF）方法来解决 NCF 的弱点"。报道称，三星正在订购新的 MUF 相关设备。
一位匿名消息人士称："三星必须采取一些措施来提高其 HBM（生产）产量......采用 MUF 技术对（他们）来说是一件有点咽不下这口气的事情，因为它最终沿用了 SK Hynix 最早使用的技术。"
路透社设法从这家韩国跨国巨头那里得到了回应--公司发言人表示："我们正在按计划开展 HBM3E 产品业务。他们表示，NCF 技术仍然是"最佳解决方案"。
文章发表后，官方又做出了回应："关于三星将在其 HBM 生产中应用 MR-MUF 的传言并不属实"。
内部人士透露接下来团队会经历漫长的测试阶段--据传三星正在采购 MUF 材料，但预计量产不会在今年开始。三位消息人士称，三星计划在新一代 HBM 芯片中"同时使用 NCF 和 MUF 技术"。
本文内容不用于商业目的，如涉及知识产权问题，请权利人联系51Testing小编(021-64471599-8017)，我们将立即处理
